个人简介：

沈培，工学博士，讲师，硕士生导师。深耕电力电子变换技术领域，聚焦高频高功率密度变流器、宽禁带器件系统应用、电磁感应加热电源设计方向，主持及参与省部级纵向课题、横向合作项目，在国内外权威学术期刊发表SCI论文，累计发表学术论文，授权发明专利，指导学生获多项省级以上学科竞赛奖励。

研究方向：低空特种高频感应加热电源装备、高功率密度拓扑智能控制与宽禁带电力电子变换技术

电子邮件：71258@nchu.edu.cn

教育经历：

[1] 2018.09-2022.12，杭州电子科技大学，电子科学与技术，博士

工作经历：

[1] 2023-08至今，南昌航空大学，信息工程学院，讲师

学术兼职：

[1] IEEE会员，IEEJ会员

[2] IEEE transactions on Power Electronics、IEEE Electron Device Letters、Chinese Physics B、Scientific Reports等学术期刊特邀审稿人

主持或参与的代表性科研项目：

[1] 江西省自然科学基金/2030启航计划C类项目，航空构件热处理感应加热电源高功率密度设计与功率器件验证，50万，任务负责人，在研

[2] 江西省自然科学基金重点项目，相依网络级联失效演化机理及鲁棒性优化策略研究，20万，参与，在研

[3] 博士科研启动基金项目，碳化硅沟槽栅超结MOSFET器件设计及其特性研究，20万，项目负责人，在研

[4] 江西省教育厅科技项目青年基金项目，碳化硅槽栅MOSFET新结构设计及可靠性研究，2.0万，项目负责人，结题

[5] 国家重点实验室开放项目，基于钻孔雷达的矿井灾害源定向精细超前探测关键技术，5.0 万，参与，结题

[6] 横向委托项目，**疲劳监测与量化评估系统研究，30万，项目负责人，在研

[7] 横向委托项目，**可在线重构FPGA程序技术研究，52万，参与，在研

代表性论文（10篇以内）：

[1]Shen Pei, Yu Wen-Kang, Jiang Yuan, and Dai Ji-Yang. A novel adjustable p-pillar barrier SiC trench MOSFET with heterojunction freewheeling diode for improving high-frequency and short-circuit performance, IEEE Transactions on Electron Devices, 2026, Revision.

[2]Shen Pei, Jiang Yuan, Zhang Xiao-Dong, and Dai Ji-Yang. A Temperature-Dependent SPICE Model of SiC Power Trench MOSFET Switching Behavior Considering Parasitic Parameters, IEEE Journal of The Electron Devices Society, 2025, 13: 98-105.

[3]Pei Shen, Ying Wang, Xing-ji Li, Jian-Qun Yang, and Fei Cao. Low Switching Loss and Increased Short-Circuit Capability Split-Gate SiC Trench MOSFET with p-type pillar[J]. Chinese Physics B, 2023,32(05):780-787.

[4]Pei Shen, Ying Wang, Xing-ji Li, Jian-Qun Yang, and Liang Zheng. Simulation Study on Single-Event Burnout Reliability of 4H-SiC Trench Gate MOSFET with Combined P-buried Layer[J]. Microelectronics Reliability, 2023, 142: 114931.

[5]Pei Shen, Ying Wang, Xing-ji Li, Jian-Qun Yang, Cheng-Hao Yu, and Fei Cao. Improved 4H-SiC UMOSFET with super-junction shield region[J]. Chinese Physics B, 2021, 30(05): 729-735.

[6]Pei Shen, Ying Wang, Xing-ji Li, Jian-Qun Yang, and Fei Cao. A Compact Circuit-level Model for Single-Event Burnout in SiC Power MOSFET Devices[J]. Japanese Journal of Applied Physics, 2022, 61(12): 121003.

[7]Pei Shen, Ying Wang, and Fei Cao. A 4H-SiC Trench MOSFET Structure with Wrap N-type Pillar for Low Oxide Field and Enhanced Switching Performance[J]. Chinese Physics B, 2022, 31(07): 724-731.

[8]Xiao-dong Zhang, Pei Shen, Zhi-jie Zou, Ming-xin Song, and Lin-lin Zhang. A Snapback-Free and Low Turn-Off Loss 15 kV 4H-SiC IGBT with Multifunctional P-Floating Layer[J]. Micromachines-BASEL, 2022, 13, 734.

代表性授权专利（10篇以内）：

[1] 沈培, 于文康, 吴简秋, 汪琪. 一种SiC沟槽MOSFET器件及其制备方法[P]. 中国: CN202511394155.2, 2025-11-28.

[2] 王颖, 沈培, 李兴冀, 杨剑群, 曹菲, 一种SiC MOSFET SPICE行为模型构建方法和装置[P]. 中国: CN113191104B, 2024-04-09.

[3] 黎俊亮, 蒋沅, 代冀阳, 沈培等. 基于StemGNN的动力电池循环寿命动态调节方法[P]. CN118094198B, 2024-07-05.

[4] 李勇, 刘保路, 沈培, 键盘扫描方法及装置[P]. 中国：CN106295422B.